大氣射流等離子體技術的發展曆史

大氣射流等離子體(ti) 技術的發展曆史

當前，微電子工業(ye) 中使用的等離子清洗機當中低溫等離子體(ti) 工藝在許多情況下都會(hui) 在真空條件下來完成，因為(wei) 在真空條件下低溫等離子體(ti) 的處理效果更好，也能為(wei) 大麵積處理與(yu) 高均勻性的效果提供保證，因此在真空條件下的投入及研發在整個(ge) 等離子體(ti) 工藝線當中占了很大的比例。

真空等離子處理

但在常壓大氣環境下進行處理的大氣射流等離子體(ti) 技術仍有自己的優(you) 勢，如處理效率更高，占地麵積更小等。於(yu) 是為(wei) 了擺脫對真空環境的依賴，在大氣壓條件下獲得均勻放電等離子體(ti) 的要求被提上了日程，在20世紀80-90年代開始興(xing) 起，並在全球範圍內(nei) 形成了熱烈的研究潮流，也是在這一期間，大量的研究為(wei) 大氣射流等離子體(ti) 的發展奠定了良好的基礎。

20世紀90年代初，Koinuma等人開發出了一種微束等離子體(ti) 裝置，該裝置放棄了大麵積均勻性的要求，而在直徑2mm的範圍內(nei) 采用CF（1%）/He作為(wei) 放電氣體(ti) ，在70W的射頻功率下，在矽片上取得了5nm/s的刻蝕速率，這種微束等離子體(ti) 裝置可以說是大氣壓非熱力平衡態冷等離子體(ti) 射流裝置的前身。

等離子射流

由於(yu) 其消耗的平均功率非常小，所產(chan) 生的等離子體(ti) 射流對環境以及被處理的材料表麵幾乎沒有什麽(me) 熱效應，因此它被稱為(wei) “冷等離子體(ti) 射流”。並且在不同的頻率下的等離子體(ti) 的產(chan) 生機理是不同的，如射頻和高頻放電下的區別：從(cong) 應用的角度來看，高頻電源更便宜，相關(guan) 裝置的設計與(yu) 製造也更簡單，並有著更多的應用。從(cong) 近十年的文獻分析來看，這類裝置的結構大多采用了在惰性氣體(ti) （或以惰性氣體(ti) 為(wei) 主摻入了一些活性氣體(ti) ）氣流通道上形成DBD。

而到現在，應用了射流等離子體(ti) 技術的等離子清洗機已經衍生出了許多的設備產(chan) 品了，可以說當初的射流等離子體(ti) 技術是在摸索中前進的，而如今卻是在處理產(chan) 品的多樣化和具體(ti) 化方麵而努力前行著。

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