常壓大型等離子表麵清洗機之等離子清洗體鞘
發表時間： 2022-05-15 09:55:09
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等離子體(ti) 與(yu) 器壁、電極接觸時，在交界麵處會(hui) 形成一個(ge) 電中性被破壞的薄層， 這個(ge) 偏離電中性的薄層稱為(wei) 等離子體(ti) 鞘，也稱為(wei) 常壓大型等離子表麵清洗機等離子體(ti) 鞘層、鞘層的形成與(yu) 等離子體(ti) 屏蔽效應密切相關(guan) ，是等離子體(ti) 受到擾動時，由德拜屏蔽產(chan) 生的空間電荷層。（plasma sheath）
等離子體(ti) 鞘（plasma sheath）可以在電極或器壁表麵形成，依據電極或器璧電位與(yu) 等離子體(ti) 電位關(guan) 係，可分為(wei) 離子鞘和電子鞘。電極近旁的鞘：設等離子體(ti) 電位為(wei) Vp，電極電位為(wei) Vs，當電極電位Vs與(yu) 等離子體(ti) 電位Vp所有一個(ge) 差值時接通外電路，電極上會(hui) 有電流流過，這相當於(yu) 引入一個(ge) 外電勢作用於(yu) 等離子體(ti) 。當VsNe)，隨著電場增強會(hui) 在距電極一定距離的範圍內(nei) 形成由離子構成的空間電荷層，即離子鞘。當Vs>Vp時，電極近旁形成的電場就將吸引電子排斥離子，結果為(wei) 電子密度大於(yu) 離子密度(Ne>Ni)，隨著電場強度的增加，相應的在距電極的一定距離範圍內(nei) 形成由電子構成的空間電荷層，即電子鞘。plasma sheath
浮置基板處的鞘層：當插入等離子體(ti) 的是絕緣材料，因為(wei) 電流不能通過，所以到達絕緣體(ti) 表麵的帶電粒子要麽(me) 在表麵處相互複合，要麽(me) 返回等離子體(ti) 區。在 等離子體(ti) 中，由於(yu) 電子的運動速度大於(yu) 重粒子的運動速度，絕緣體(ti) 表麵會(hui) 出現淨的負電荷積累，即表麵相對於(yu) 等離子體(ti) 區呈負電勢。表麵區的負電勢將排斥向表麵運動的後續電子，吸引正離子，直到絕緣體(ti) 表麵的負電勢達到某個(ge) 確定值，使離子流與(yu) 電子流相等為(wei) 止。這時絕緣體(ti) 表麵電位Vf趨於(yu) 穩定，Vf與(yu) 等離子體(ti) 電位之間的差值(Vp-Vf)保持定值。此時在靠近絕緣體(ti) 表麵存在一個(ge) 空間電荷層，這個(ge) 空間電荷層為(wei) 離子鞘。由於(yu) 等離子體(ti) 中的絕緣體(ti) 通常被稱為(wei) 浮置基板，絕緣體(ti) 的電位常稱為(wei) 浮置電位。顯然浮置電位是一個(ge) 負值，而浮置基板與(yu) 等離子體(ti) 交界處形成的是一個(ge) 由正離子構成的空間電荷層。因此任何絕緣體(ti) ，包括反應器壁置於(yu) 等離子體(ti) 中都會(hui) 形成離子鞘。
等離子體(ti) 鞘（plasma sheath）是等離子體(ti) 重要特征之一，等離子體(ti) 鞘的具體(ti) 表現與(yu) 體(ti) 係溫度T和粒子密度n密切相關(guan) 。通過對鞘層的研究可以了解等離子體(ti) 的一些重要性質。
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