等離子刻蝕機的使用及趨勢

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隨著科技的發達，它已經不隻是我們(men) 通常所熟悉的事物。等離子體(ti) 在科學、經濟、醫學等領域有著廣泛的應用，等離子刻蝕機就是其中之一。等離子體(ti) ，如低溫，是對物質狀態的1個(ge) 稱呼。物質有固體(ti) ，液體(ti) ，氣體(ti) 三種類型，除固體(ti) ，液體(ti) ，氣體(ti) 外，現在稱其他物質為(wei) 等離子體(ti) 。

刻蝕是用化學、物理或兩(liang) 者結合的方法有選擇地去除沒有被抗蝕劑掩蔽的薄膜層，從(cong) 而將圖形從(cong) 光刻膠轉移到待刻蝕的薄膜上。按照工藝劃分，刻蝕分為(wei) 濕法刻蝕和幹法刻蝕，由於(yu) 濕法刻蝕在小尺寸及複雜結構應用中的局限性，當前市場應用以幹法刻蝕為(wei) 主，市占率高達90%以上。濕法刻蝕是用液體(ti) 化學劑去除襯底表麵的材料，各向異性差，隨著器件特征尺寸縮小、結構愈加複雜，刻蝕精度難以保證。目前，濕法刻蝕主要用於(yu) 清洗幹法刻蝕殘留物。幹法刻蝕則是利用等離子體(ti) 實現化學或物理反應來實現刻蝕。

按照刻蝕材料劃分，刻蝕可分為(wei) 介質刻蝕、矽刻蝕和金屬刻蝕。其中，介質刻蝕、矽刻蝕廣泛應用於(yu) 邏輯、存儲(chu) 器件等芯片製造中，市場占有率超90%。

主要幾款刻蝕產(chan) 品：

電容性等離子體(ti) 刻蝕CCP：將施加在極板上的射頻或直流電源通過電容耦合的方式在反應腔內(nei) 形成等離子。能量高、精度低，主要用於(yu) 介質材料刻蝕。

電感性等離子體(ti) 刻蝕ICP：將射頻電源的能量經由電感線圈，以磁場耦合的形式進入反應腔內(nei) 部，從(cong) 而產(chan) 生等離子體(ti) 並用於(yu) 刻蝕。能量低、精度高，主要用於(yu) 矽刻蝕和金屬刻蝕。

電子回旋共振刻蝕ECR：使用帶電粒子在磁場中回旋轉動獲得能量，繼而電子碰撞增加產(chan) 生高密度的等離子體(ti) 。

變壓器耦合等離子體(ti) 源TCP：TCP原理與(yu) ICP相似，區別是ICP為(wei) 立體(ti) 式電感線圈，而TCP為(wei) 平麵式。

ALE原子層刻蝕：通過一係列自限製反應去除單個(ge) 原子層，將刻蝕精度精確到一個(ge) 原子層，即0.4nm，具有超高選擇率和均勻性，且微負載效應可以忽略不計。

等離子刻蝕機可應用於(yu) 各行各業(ye) ，不單單是是化學和工業(ye) 領域，而且是應用很廣泛的領域。

等離子刻蝕機的出現，解決(jue) 了許多人們(men) 所麵臨(lin) 的難題，為(wei) 人們(men) 的生活做出了很大貢獻。

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