等離子刻蝕機去膠工藝原理及優勢介紹

等離子刻蝕機去膠工藝原理及優(you) 勢介紹

在半導體(ti) 製造中，產(chan) 品表麵會(hui) 有底膠和光刻膠的殘留，這就需要有一個(ge) 好的方法來清洗，不能損傷(shang) 產(chan) 品表麵，同時要徹底清洗幹淨。今天我們(men) 介紹的方法是等離子刻蝕機。等離子體(ti) 進行表麵處理和殘留光刻膠清洗的效果如何？

一、等離子刻蝕機去膠工藝原理

等離化合子刻蝕機的去膠是一種幹式的去膠方法，將產(chan) 品放入設備中，通過真空泵抽氣，讓產(chan) 品處於(yu) 真空狀態下，放入工藝氣體(ti) 進行放單反應，這樣就會(hui) 生成具有活性的等離子體(ti) ，它與(yu) 表麵的殘膠進行反應；光刻膠的基本成分為(wei) 碳氫物，在反應中，這些化合物會(hui) 消失，並生成一氧化碳、二氧化碳、水等等，這些物質會(hui) 被真空泵抽走，表麵的清洗工作就完成了。

二、等離子刻蝕機去膠工藝優(you) 勢

在過去，很多工廠都采用的濕式處理法，但是隨著技術不斷變革，產(chan) 品不斷升級，處理要求也隨之升級，幹式法逐步取代了濕式處理；

等離子刻蝕機的去膠隻需氣體(ti) 的參與(yu) ，無需化學試劑的浸泡，無需烘幹，整個(ge) 處理環保幹淨，清洗過程可控性非常強，而且不會(hui) 對周圍環境以及人員造成不良的影響；這種工藝還能夠降低成本，提高產(chan) 品的良品率以及生產(chan) 效率，所以設備在半導體(ti) 製程的各類方麵都廣泛的得到了應用。

去膠工藝在半導體(ti) 製程中非常重要，清洗的是否幹淨徹底，對表麵是否有損傷(shang) 等等，都會(hui) 影響到後續工藝，進而影響整體(ti) 的生產(chan) 製造以及性能，對成品率起到重要的影響，一個(ge) 好的處理工藝能夠對產(chan) 品的影響由此可見，等離子刻蝕機設備也能夠有效的提高公司的利潤。

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