等離子清洗機能清洗殘膠嘛

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在微電子行業(ye) 的生產(chan) 製造流程當中，等離子體(ti) 表麵處理技術現已逐漸成為(wei) 了一類必不可少的工藝技術。等離子體(ti) 表麵處理技術則可以稱為(wei) 是集合等離子處理技術的一種工藝設備，在微電子、汽車製造等領域內(nei) ，業(ye) 內(nei) 人士常稱之為(wei) “等離子清洗機”，隨著工藝技術的發展，等離子清洗設備的應用也越來越廣泛，等離子體(ti) 表麵處理技術也慢慢被大眾(zhong) 所熟知。今天我們(men) 就與(yu) 大家交流一下，在微電子行業(ye) 內(nei) 等離子去除殘膠的應用。

首先等離子體(ti) 表麵處理技術是利用等離子體(ti) 實現常規清洗方法所不能達到的。等離子體(ti) 是物質的一種狀態，也稱為(wei) 物質的第四態，與(yu) 一般的固體(ti) 氣體(ti) 三態不同。向氣體(ti) 施加足夠的能量，使其離化，即為(wei) 等離子態。其“活性”成分包括：離子、電子、原子、活化基、光子等。等離子清洗法是利用這些活性成分對試樣表麵進行處理，達到清潔、塗覆等目的。工件表麵經化學或物理處理後，可在分子水平上去除汙染物，從(cong) 而提高工件表麵活性。

在微電子技術中，光刻膠是一種非常重要的微細圖形材料，它的主要作用是在表麵上進行化學或機械處理時，對基片上的基片進行保護。當刻蝕或離子注入後，就不再需要光刻膠作為(wei) 保護層，可將其去除。光刻膠去膠效果太差，影響生產(chan) 效率，去膠效果太強，容易損壞基底，影響到整個(ge) 產(chan) 品的成品率。

采用等離子體(ti) 表麵處理技術剝離光刻膠時，要在等離子體(ti) 環境中通過氧原子核和光刻膠進行反應，以消除光刻膠，因為(wei) 光刻膠的基本成分為(wei) 烴類有機物，氧離成氧原子，在射頻或微波的作用下，電離成氧原子，與(yu) 光刻膠發生化學反應，產(chan) 生一氧化碳、二氧化碳、水等，再經泵真空抽空。去除光刻膠的過程。

常規主流的去膠方法都是采用濕法脫膠，成本低效率高，但是隨著技術的不斷更新，越來越多的超大型集成電路製造商開始使用等離子清洗去膠，與(yu) 傳(chuan) 統的濕法式去膠方法不同，等離子體(ti) 表麵處理技術它不需浸泡化學溶劑，也無需幹燥，去膠過程較易控製，避免過多地計算底數，增加產(chan) 品產(chan) 量。

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